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据《山西经济日报》报道，晋城光机电产业研究院引进的锑化物半导体项目已进入试运行阶段，预计明年将达到1万块芯片的产能，成为条第四代半导体生产线。
锑激光芯片生产项目是晋城市光机电产业研究院引进中科院半导体研究所牛智川教授团队落地的第一个项目，概算总投资8202.82万元。围绕锑化物半导体激光芯片核心技术，开发锑化物大功率激光芯片和单模激光芯片，广泛应用于激光加工、医疗切割等不同领域。
目前，具有巨大发展潜力的第四代半导体技术的主要体系有：锑化镓窄带隙、铟砷化合物半导体;超宽带隙氧化物材料;碳基纳米材料、二维原子晶体材料等其他低维材料。
锑化物半导体在新系统中占据了第四代半导体的核心地位。锑化物半导体作为经典的三五族体系，在本世纪初得到了广泛的重视。从2009年开始，国外将锑化物半导体相关材料和器件列为出口封锁和垄断技术。
牛智川教授曾表示，锑化物半导体在开发下一代体积小、重量轻、功耗低、成本低的设备和要求极其苛刻的应用方面具有不可替代的独特优势。我国锑化物超晶格探测器、量子阱激光技术等已进入产业化应用发展阶段。
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