中国科技进步，路透社本不必焦虑

　　路透社近日“爆料”所谓中国“曼哈顿计划”，宣称中国科学家造出了华盛顿多年试图阻止的极紫外(EUV)光刻机原型机。通篇报道依赖“知情人士透露”，真假难辨，但其字里行间弥漫的对中国科技进步的焦虑感却昭然若揭。这种焦虑，恰恰折射出西方部分势力面对中国科技发展时的不健康心态。

　　光刻机作为半导体产业的“工业明珠”，被一些国家视为西方技术领先的“最后堡垒”，目前全球仅有荷兰阿斯麦(ASML)能稳定量产EUV光刻机。中国在光刻机领域长期受制于人，高端设备曾高度依赖进口，推进国产化进程既是产业发展的必然需求，也是保障供应链安全的关键举措。事实上，外媒无需过度猜测，中国光刻机的国产化进展有着明确的官方披露和产业实证：2024年9月，工信部在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中明确国产深紫外(DUV)光刻机参数——分辨率65纳米、套刻精度8纳米;截至2025年第三季度，上海微电子自主研发的600系列光刻机已实现90nm制程量产，28nm浸没式光刻机进入研发测试阶段，宇量昇与中芯国际的合作验证也步入关键期。清晰的技术路线表明，中国始终沿着自主可控的方向稳步推进，每一步突破都经得起检验。

　　芯片产业的核心特性是高度全球化协作，光刻机这类集光学、精密机械、电子等多领域尖端技术于一体的复杂系统，更是需要多国企业协同攻关。先进芯片1平方毫米面积内晶体管数量超1亿，从设计、制造到封装测试，每个环节都需要专业分工与跨国配合。即便中国在光刻机领域取得突破，也绝不会改变这一产业规律。中国对此有着清醒认知，始终秉持开放合作理念，欢迎全球企业共同参与产业链构建。事实上，众多西方芯片企业已在华市场获得丰厚回报，这正是国际合作共赢的生动例证。当前，国产光刻机的突破还带动了上游产业链协同升级，江丰电子的冷却部件、富创精密的反射镜等核心配套产品实现技术突破并量产，光学元器件国产化率已提升至35%，较2024年增长18个百分点，形成了“整机研发-部件配套-产业应用”的良性循环，而这一过程始终向全球合作伙伴敞开大门。

　　中国坚持科技自主创新，核心目标是实现自立自强，绝非追求封闭的“技术孤岛”，这一点在航天、绿色能源等多个领域已反复验证。值得注意的是，西方部分国家的科技围堵，不仅未能阻滞中国进步，反而激发了更强的创新动力。比尔·盖茨曾坦言，美国的技术封锁让“中国在芯片制造等领域实现了全速发展”;英伟达首席执行官黄仁勋也多次表示，出口管制未能放缓中国AI发展步伐，反而导致英伟达在华AI芯片市场份额大幅下滑。数据印证了这一趋势：2025年中国光刻机国产化率已提升至12%，较2024年增长5个百分点，尤其在i线前道光刻机和中低端DUV设备领域实现批量替代。法媒精准评论道：“整个中国都在以一种‘你封我，我就自己造’的精神前行着”。如今，中国完备的科技底座、充足的人才储备和成熟的产业体系，已足以支撑应对各类技术封锁挑战。

　　科技是全人类的共同财富，理应服务于全球福祉。以“国家安全”为名实施的封锁策略，本质上是封闭与割裂，最终将损害全球科技产业的整体利益，西方自身也难以幸免。世界经济论坛曾指出，中美合作是全球科技进步的基石，超过30%的美国高影响力科研项目都有中国科学家参与。美国无端打压华为等企业、限制芯片技术出口，破坏的正是这种互利共赢的合作根基，走上了一条技术分裂、市场割裂、创新减速的歧途。这种策略的不可持续性，从美国内部对英伟达H200芯片对华出口政策的争议与摇摆中可见一斑。

　　中国的目标始终清晰：在实现关键技术自主可控的基础上，更深度、更平等地融入全球创新网络，为人类科技进步贡献力量。我们坚信，唯有拆掉心中“恐惧”与“霸权”的高墙，拥抱开放合作的时代潮流，才能真正共享科技红利，共同应对全球挑战。那些企图用“铁幕”阻隔进步阳光的人，最终只会将自己困在阴影之中。合作共赢的大门始终向世界敞开，而钥匙，永远掌握在秉持尊重、平等与互利互信理念的人们手中。